氧化钇陶瓷涂层的制备

目前，低温等离子体微加工法已成为材料微纳米加工的关键技术，它是光电，微机械，集成电路技术等制造技术的基础。在VLSI制造过程中，气相沉积，等离子汽提和干法刻蚀等近三分之一的过程需要低温等离子技术的帮助。干蚀刻是重要的工艺流程之一。这是一种不可替代的过程，可实现从光刻模板到硅片的超大规模集成电路生产中精细图案的高保真转印。

在等离子干法刻蚀过程中，将生成大量的活性自由基，例如Cl*，Cl2*，F*和CF*。在严重的情况下，它们还会腐蚀等离子刻蚀腔的内表面，影响刻蚀效果，引起污染，甚至导致刻蚀腔的失效。在1990年代的等离子体蚀刻设备中，通过阳极氧化法制备的Al2O3（防腐蚀铝膜）主要用作处理室部件的等离子体保护层。随着芯片尺寸的增加，300mm数字集成电路生产线已成为主流处理技术，等离子功率也在不断增加。Al2O3防腐铝膜的寿命受到更高功率的限制，并且没有足够的耐CF4，SF6和O2的能力。和Cl2等大功率工艺中的等离子腐蚀。这可能会导致防腐蚀涂层脱落，等离子直接作用在铝基板上，从而导致颗粒污染并增加设备维护成本。因此，有必要寻找一种新的材料和表面处理技术来满足当前刻蚀工艺的需要。

等离子喷涂广泛应用于各种技术领域，例如耐磨涂层，隔热涂层，无定形涂层和耐腐蚀涂层。特别地，在等离子喷涂中解决了陶瓷粉末如Y2O3和硬质合金粉末的喷涂问题，该陶瓷粉末具有优异的性能但具有极高的耐火性。研究表明等离子喷涂的Y2O3涂层对蚀刻工艺腔具有良好的保护作用。